EPC2012CENGR
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| Número de pieza | EPC2012CENGR |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.41 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2012CENGR | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 96411 pcs | Ficha de datos | EPC2012C Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 100pF @ 100V |
| Tensión - Desglose | Die Outline (4-Solder Bar) | VGS (th) (Max) @Id | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 5A (Ta) |
| Polarización | Die | Otros nombres | 917-EPC2012CENGRTR |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | EPC2012CENGR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1nC @ 5V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200V | relación de capacidades | - |
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