EPC2012C
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| Número de pieza | EPC2012C |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.517 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2012C | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 66981 pcs | Ficha de datos | EPC2012C Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo | Die Outline (4-Solder Bar) | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V | La disipación de energía (máximo) | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-1084-2 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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