EPC2019ENG
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| Número de pieza | EPC2019ENG |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.396 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2019ENG | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 27216 pcs | Ficha de datos | EPC2019 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 270pF @ 100V |
| Tensión - Desglose | Die | VGS (th) (Max) @Id | 50 mOhm @ 7A, 5V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 8.5A (Ta) |
| Polarización | Die | Otros nombres | 917-1055-2 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | EPC2019ENG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5nC @ 5V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 1.5mA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200V | relación de capacidades | - |
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