EPC2010
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| Número de pieza | EPC2010 |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.719 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2010 | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 14107 pcs | Ficha de datos | EPC2010 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 3mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo | Die | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V | La disipación de energía (máximo) | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-1016-2 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.5nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V | Descripción detallada | N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
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