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STGW8M120DF3

STGW8M120DF3
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Número de pieza STGW8M120DF3
Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 42536 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs1020 pcs
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Número de pieza STGW8M120DF3 Fabricante STMicroelectronics
Descripción TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 42536 pcs Ficha de datos Power Mgmt Guide BrochureSTGW(A)8M120DF3 Datasheet
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 8A Condición de prueba 600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 20ns/126ns Cambio de Energía 390µJ (on), 370µJ (Off)
Paquete del dispositivo TO-247-3 Serie M
Tiempo de recuperación inversa (trr) 103ns Potencia - Max 167W
Paquete / Cubierta TO-247-3 Otros nombres 497-17619
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) Not Applicable Tiempo de entrega estándar del fabricante 42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT Trench Field Stop puerta de carga 32nC
Descripción detallada IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3 Corriente - Colector Pulsada (ICM) 32A
Corriente - colector (Ic) (Max) 16A

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