IXFN200N10P
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| Número de pieza | IXFN200N10P |
|---|---|
| Fabricante | IXYS |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.314 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXFN200N10P | Fabricante | IXYS |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4537 pcs | Ficha de datos | IXFN200N10P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 7600pF @ 25V |
| Tensión - Desglose | SOT-227B | VGS (th) (Max) @Id | 7.5 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | Polar™ |
| Estado RoHS | Tube | RDS (Max) @Id, Vgs | 200A |
| Polarización | SOT-227-4, miniBLOC | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks | Número de pieza del fabricante | IXFN200N10P |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 235nC @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5V @ 8mA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100V | relación de capacidades | 680W (Tc) |
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