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IXFN180N10

IXFN180N10
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Número de pieza IXFN180N10
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 5580 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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Número de pieza IXFN180N10 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5580 pcs Ficha de datos IXFN180N10
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B Serie HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 8 mOhm @ 500mA, 10V La disipación de energía (máximo) 600W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres 479462 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 360nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V Descripción detallada N-Channel 100V 180A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)

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  • Parte#:IXFN200N10P
  • Fabricantes:IXYS
  • Descripción:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
  • En stock:4537
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