IXFN170N65X2
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| Número de pieza | IXFN170N65X2 |
|---|---|
| Fabricante | IXYS Corporation |
| Descripción | MOSFET N-CH |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.269 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IXFN170N65X2 | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 2543 pcs | Ficha de datos | IXFN170N65X2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-227B | Serie | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 13 mOhm @ 85A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1170W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 434nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
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