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IXFN230N10

IXFN230N10
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Número de pieza IXFN230N10
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 3582 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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Número de pieza IXFN230N10 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 3582 pcs Ficha de datos IXFN230N10
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 6 mOhm @ 500mA, 10V La disipación de energía (máximo) 700W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 570nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V
Descripción detallada N-Channel 100V 230A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 230A (Tc)

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