EPC2101ENG
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| Número de pieza | EPC2101ENG |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.994 | $3.694 | $3.395 | $3.095 | $2.896 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2101ENG | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 13196 pcs | Ficha de datos | EPC2101 Preliminary Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 2mA |
| Paquete del dispositivo | Die | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V | Potencia - Max | - |
| embalaje | Tray | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-EPC2101ENG EPC2101ENGR_H5 EPC2101ENGRH5 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.7nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
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