EPC2100ENG
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| Número de pieza | EPC2100ENG |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.639 | $3.315 | $2.992 | $2.749 | $2.507 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2100ENG | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 12516 pcs | Ficha de datos | EPC2100 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Paquete del dispositivo | Die | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V | Potencia - Max | - |
| embalaje | Tray | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
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- Parte#:
MK60FX512VLQ12 - Fabricantes:
NXP USA Inc. - Descripción:
IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP - En stock:
7578