EPC2100
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| Número de pieza | EPC2100 |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.918 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2100 | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 16470 pcs | Ficha de datos | EPC2100~EPC2100 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Paquete del dispositivo | Die | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V | Potencia - Max | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-1180-2 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
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