EPC2101
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| Número de pieza | EPC2101 |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.989 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2101 | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 18638 pcs | Ficha de datos | EPC2101 Preliminary Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| Paquete del dispositivo | Die | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V | Potencia - Max | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-1181-2 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
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