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STTH810G

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Número de pieza STTH810G
Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 5528 pcs
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Número de pieza STTH810G Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5528 pcs Ficha de datos STTH810
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - inversa de pico (máxima) Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 8A Tensión - Desglose D2PAK
Serie - Estado RoHS Tube
Tiempo de recuperación inversa (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Resistencia @ Si, F -
Polarización TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Temperatura de funcionamiento - Junction 85ns
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante STTH810G Descripción ampliada Diode Standard 1000V (1kV) 8A Surface Mount D2PAK
configuración de diodo 5µA @ 1000V Descripción DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr 2V @ 8A Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 1000V (1kV)
Capacitancia Vr, F 175°C (Max)

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