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STTH812G-TR

STTH812G-TR
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Número de pieza STTH812G-TR
Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 100225 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza STTH812G-TR Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 100225 pcs Ficha de datos STTH812
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 2.2V @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 1200V Paquete del dispositivo D2PAK
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 100ns embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Otros nombres 497-5264-1
Temperatura de funcionamiento - Junction 175°C (Max) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 1200V 8A Surface Mount D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr 8µA @ 1200V Corriente - rectificada media (Io) 8A
Capacitancia Vr, F - Número de pieza base STTH812

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