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STTH806G

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Número de pieza STTH806G
Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 4203 pcs
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Número de pieza STTH806G Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4203 pcs Ficha de datos STTH806
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - inversa de pico (máxima) Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 8A Tensión - Desglose D2PAK
Serie - Estado RoHS Tube
Tiempo de recuperación inversa (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Resistencia @ Si, F -
Polarización TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Temperatura de funcionamiento - Junction 55ns
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante STTH806G Descripción ampliada Diode Standard 600V 8A Surface Mount D2PAK
configuración de diodo 8µA @ 600V Descripción DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr 1.85V @ 8A Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 600V
Capacitancia Vr, F 175°C (Max)

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