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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTC123TMB,315

PDTC123TMB,315

PDTC123TMB,315
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Número de pieza PDTC123TMB,315
Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 842463 pcs
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Número de pieza PDTC123TMB,315 Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 842463 pcs Ficha de datos PDTC123TMB
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo DFN1006B-3 Serie -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms Potencia - Max 250mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta 3-XFDFN
Otros nombres 934065946315 Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 230MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 1µA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base PDTC123

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