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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTC123JQAZ

PDTC123JQAZ

PDTC123JQAZ
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Número de pieza PDTC123JQAZ
Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1724008 pcs
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Número de pieza PDTC123JQAZ Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 3DFN Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1724008 pcs Ficha de datos PDTC143X,123J,143Z,114YQA
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo DFN1010D-3 Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potencia - Max 280mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 3-XDFN Exposed Pad Otros nombres 934069138147
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 230MHz Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 280mW Surface Mount DFN1010D-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Corriente - corte del colector (Max) 1µA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

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