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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTC123JM,315

PDTC123JM,315

PDTC123JM,315
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Número de pieza PDTC123JM,315
Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1950757 pcs
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Número de pieza PDTC123JM,315 Fabricante Nexperia
Descripción TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1950757 pcs Ficha de datos PDTC123J Series
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo DFN1006-3 Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potencia - Max 250mW embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-101, SOT-883 Otros nombres 1727-3036-2
568-2153-2
568-2153-2-ND
934057174315
PDTC123JM T/R
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 1µA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base PDTC123

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