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JANTXV1N5811US

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Número de pieza JANTXV1N5811US
Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 6074 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		124 pcs
$5.436

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Precio objetivo:(USD)
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Número de pieza JANTXV1N5811US Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 6074 pcs Ficha de datos 1N5807,09,11 US/URS
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 875mV @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 150V Paquete del dispositivo B, SQ-MELF
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/477
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SQ-MELF, B Otros nombres 1086-2849
1086-2849-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 175°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 150V
Corriente - rectificada media (Io) 3A Capacitancia Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz

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