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JANTXV1N5807US

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Número de pieza JANTXV1N5807US
Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 5409 pcs
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Número de pieza JANTXV1N5807US Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 50V 3A D5B Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 5409 pcs Ficha de datos 1N5807,09,11 US/URS
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 875mV @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 50V Paquete del dispositivo D-5B
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/477
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SQ-MELF, B Otros nombres 1086-2845
1086-2845-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 175°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 50V 3A Surface Mount D-5B
Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 50V Corriente - rectificada media (Io) 3A
Capacitancia Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz

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