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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

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Número de pieza JANTXV1N5809
Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 4794 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		102 pcs
$6.603

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Número de pieza JANTXV1N5809 Fabricante Microsemi
Descripción DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4794 pcs Ficha de datos 1N5807,9,11
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 875mV @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 100V Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/477 Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns
embalaje Bulk Paquete / Cubierta B, Axial
Otros nombres 1086-2846
1086-2846-MIL		 Temperatura de funcionamiento - Junction -65°C ~ 175°C
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 100V 3A Through Hole
Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 100V Corriente - rectificada media (Io) 3A
Capacitancia Vr, F 65pF @ 10V, 1MHz

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