JAN1N6631US
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| Número de pieza | JAN1N6631US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.767 | |||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N6631US | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4034 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.6V @ 1.4A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1100V | Paquete del dispositivo | D-5B |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 60ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | E-MELF | Otros nombres | 1086-20001 1086-20001-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 1100V 1.4A Surface Mount D-5B |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 4µA @ 1100V | Corriente - rectificada media (Io) | 1.4A |
| Capacitancia Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
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