JAN1N6640US
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| Número de pieza | JAN1N6640US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N6640US | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5695 pcs | Ficha de datos | 1N6639US - 1N6641US |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1V @ 300mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50V | Paquete del dispositivo | D-5B |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Military, MIL-PRF-19500/609 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SQ-MELF, B | Otros nombres | 1086-20014 1086-20014-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 175°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5B |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 100nA @ 50V | Corriente - rectificada media (Io) | 300mA |
| Capacitancia Vr, F | - |
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