JAN1N6630
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| Número de pieza | JAN1N6630 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.591 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N6630 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 6688 pcs | Ficha de datos | 1N6626-31 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.4V @ 1.4A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 900V | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50ns |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | E, Axial |
| Otros nombres | 1086-19991 1086-19991-MIL |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 900V 1.4A Through Hole | Corriente - Fuga inversa a Vr | 2µA @ 900V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1.4A | Capacitancia Vr, F | - |
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