JAN1N6627U
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| Número de pieza | JAN1N6627U |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N6627U | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5849 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.75A | Tensión - Desglose | D-5B |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | SQ-MELF, E | Otros nombres | 1086-19981 1086-19981-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 30ns | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | JAN1N6627U |
| Descripción ampliada | Diode Standard 400V 1.75A Surface Mount D-5B | configuración de diodo | 2µA @ 400V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.35V @ 2A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 400V | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
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