JAN1N6625U
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| Número de pieza | JAN1N6625U |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N6625U | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4857 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A | Tensión - Desglose | D-5A |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | SQ-MELF, A | Otros nombres | 1086-19975 1086-19975-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 30ns | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | JAN1N6625U |
| Descripción ampliada | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A | configuración de diodo | 1µA @ 1000V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.75V @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 1000V (1kV) | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
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