APTM120H57FTG
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| Número de pieza | APTM120H57FTG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTM120H57FTG | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5387 pcs | Ficha de datos | Power Products CatalogAPTM120H57FTG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA |
| Paquete del dispositivo | SP4 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 684 mOhm @ 8.5A, 10V | Potencia - Max | 390W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP4 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) | Descripción detallada | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 17A |
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