APTM120DA56T1G
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| Número de pieza | APTM120DA56T1G |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | APTM120DA56T1G | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4333 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SP1 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 672 mOhm @ 14A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 390W (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7736pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V |
| Descripción detallada | N-Channel 1200V 18A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
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