APTM120U10SCAVG
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| Número de pieza | APTM120U10SCAVG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $98.429 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTM120U10SCAVG | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 341 pcs | Ficha de datos | APTM120U10SCAVG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 20mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SP6 | Serie | POWER MOS 7® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 3290W (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP6 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1100nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V | Descripción detallada | N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 116A (Tc) |
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