APTM120A80FT1G
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| Número de pieza | APTM120A80FT1G |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTM120A80FT1G | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4904 pcs | Ficha de datos | Power Products CatalogAPTM120A80FT1G |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA |
| Paquete del dispositivo | SP1 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 960 mOhm @ 12A, 10V | Potencia - Max | 357W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP1 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 14A |
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