RW1E014SNT2R
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| Número de pieza | RW1E014SNT2R |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.026 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RW1E014SNT2R | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 870575 pcs | Ficha de datos | RW1E014SN |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-WEMT | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RW1E014SNT2RTR | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.4nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 1.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
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