RW1A030APT2CR
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| Número de pieza | RW1A030APT2CR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.046 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RW1A030APT2CR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 497858 pcs | Ficha de datos | P/N Explanation for TransistorsRW1A030APProduct Catalog TransistorsPackaging Info for Transistors |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | -8V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-WEMT | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 42 mOhm @ 3A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RW1A030APT2CR-ND RW1A030APT2CRTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V | Descripción detallada | P-Channel 12V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
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