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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-matrices > MBRT60035

MBRT60035

MBRT60035
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Número de pieza MBRT60035
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1293 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza MBRT60035 Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1293 pcs Ficha de datos MBRT60020~60040RThree Tower Pkg Drawing
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 750mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 35V Paquete del dispositivo Three Tower
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
embalaje Bulk Paquete / Cubierta Three Tower
Otros nombres MBRT60035GN Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Schottky
configuración de diodo 1 Pair Common Cathode Descripción detallada Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 600A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr 1mA @ 20V Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 600A (DC)

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