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MBRT600200

MBRT600200
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Número de pieza MBRT600200
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1005 pcs
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Número de pieza MBRT600200 Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1005 pcs Ficha de datos MBRT600150 thru MBRT600200R
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 920mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 200V Paquete del dispositivo Three Tower
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
embalaje Bulk Paquete / Cubierta Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Schottky
configuración de diodo 1 Pair Common Cathode Descripción detallada Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 300A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr 1mA @ 200V Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 300A

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