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MBRT60030RL

MBRT60030RL
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Número de pieza MBRT60030RL
Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 5177 pcs
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Número de pieza MBRT60030RL Fabricante GeneSiC Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5177 pcs Ficha de datos MBRT60030(R)L
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 580mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 30V Paquete del dispositivo Three Tower
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
embalaje Bulk Paquete / Cubierta Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Schottky configuración de diodo 1 Pair Common Anode
Descripción detallada Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 300A Chassis Mount Three Tower Corriente - Fuga inversa a Vr 3mA @ 30V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 300A

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