EPC2021ENG
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| Número de pieza | EPC2021ENG |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.123 | $3.756 | $3.39 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2021ENG | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 11035 pcs | Ficha de datos | EPC2021 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 1700pF @ 40V |
| Tensión - Desglose | Die | VGS (th) (Max) @Id | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| Estado RoHS | Tray | RDS (Max) @Id, Vgs | 60A (Ta) |
| Polarización | Die | Otros nombres | 917-EPC2021ENG EPC2021ENGRB3 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | EPC2021ENG | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15nC @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 14mA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80V |
| relación de capacidades | - |
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