CDBJSC8650-G
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| Número de pieza | CDBJSC8650-G |
|---|---|
| Fabricante | Comchip Technology |
| Descripción | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.653 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | CDBJSC8650-G | Fabricante | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 53370 pcs | Ficha de datos | CDBJSC8650-G |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 8A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650V | Paquete del dispositivo | TO-220-2 |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns | Paquete / Cubierta | TO-220-2 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2 | Corriente - Fuga inversa a Vr | 100µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 8A (DC) | Capacitancia Vr, F | 560pF @ 0V, 1MHz |
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