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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > CDBJFSC101200-G

CDBJFSC101200-G

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Número de pieza CDBJFSC101200-G
Fabricante Comchip Technology
Descripción DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 12019 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs10 pcs50 pcs
$4.455$4.048$3.745
100 pcs250 pcs500 pcs
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Número de pieza CDBJFSC101200-G Fabricante Comchip Technology
Descripción DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 12019 pcs Ficha de datos CDBJFSC101200-G
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.7V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 1200V Paquete del dispositivo TO-220F
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns Paquete / Cubierta TO-220-2 Full Pack
Otros nombres 641-1933 Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 175°C
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 16 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky Descripción detallada Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A (DC) Through Hole TO-220F
Corriente - Fuga inversa a Vr 100µA @ 1200V Corriente - rectificada media (Io) 10A (DC)
Capacitancia Vr, F 780pF @ 0V, 1MHz

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