CDBJFSC8650-G
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| Número de pieza | CDBJFSC8650-G |
|---|---|
| Fabricante | Comchip Technology |
| Descripción | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.563 | $1.397 | $1.257 | $1.145 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $1.033 | $0.927 | $0.782 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | CDBJFSC8650-G | Fabricante | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 41393 pcs | Ficha de datos | CDBJFSC8650-G |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 8A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650V | Paquete del dispositivo | TO-220F |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns | Paquete / Cubierta | TO-220-2 Full Pack |
| Otros nombres | 641-1937 | Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220F |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 100µA @ 650V | Corriente - rectificada media (Io) | 8A (DC) |
| Capacitancia Vr, F | 560pF @ 0V, 1MHz |
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