DLE30C
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| Número de pieza | DLE30C |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DLE30C | Fabricante | ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5620 pcs | Ficha de datos | DLE30 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 3A | Tensión - Desglose | Axial |
| Serie | - | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | DO-201AD, Axial | Temperatura de funcionamiento - Junction | 35ns |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | DLE30C | Descripción ampliada | Diode Standard 200V 3A Through Hole Axial |
| configuración de diodo | 10µA @ 400V | Descripción | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 980mV @ 3A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 200V |
| Capacitancia Vr, F | 150°C (Max) |
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