TPH3208PD
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| Número de pieza | TPH3208PD |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.368 | $3.931 | $3.582 | $3.232 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TPH3208PD | Fabricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 9871 pcs | Ficha de datos | TPH3208PS |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | Serie | - |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
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