TPH3207WS
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| Número de pieza | TPH3207WS |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 50A TO247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.15 | $13.089 | $12.028 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TPH3207WS | Fabricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 50A TO247 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2997 pcs | Ficha de datos | TPH3207WS Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.65V @ 700µA |
| Vgs (Max) | ±18V | Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 41 mOhm @ 32A, 8V | La disipación de energía (máximo) | 178W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2197pF @ 400V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 8V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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