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SFAS802GHMNG

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Número de pieza SFAS802GHMNG
Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 211607 pcs
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Número de pieza SFAS802GHMNG Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 211607 pcs Ficha de datos SFAS801G - SFAS808G
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 950mV @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 100V Paquete del dispositivo TO-263AB (D²PAK)
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 100V 8A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 100V Corriente - rectificada media (Io) 8A
Capacitancia Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz

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