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SFAS801G MNG

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Número de pieza SFAS801G MNG
Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 205593 pcs
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Número de pieza SFAS801G MNG Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 205593 pcs Ficha de datos SFAS801G - SFAS808G
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 950mV @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 50V Paquete del dispositivo TO-263AB (D²PAK)
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Otros nombres SFAS801G MNG-ND
SFAS801GMNG
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 50V 8A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) 8A Capacitancia Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz

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