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S12KC V6G

S12KC V6G
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Número de pieza S12KC V6G
Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 430280 pcs
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Número de pieza S12KC V6G Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 430280 pcs Ficha de datos S12GC - S12MC
Categoría Productos semiconductores discretos Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 800V
Paquete del dispositivo DO-214AB (SMC) Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie - Paquete / Cubierta DO-214AB, SMC
Otros nombres S12KC V6G-ND
S12KCV6G		 Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 800V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 800V Corriente - rectificada media (Io) 12A
Capacitancia Vr, F 78pF @ 4V, 1MHz

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