S12JR
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| Número de pieza | S12JR |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Descripción | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 200 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.05 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | S12JR | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 35593 pcs | Ficha de datos | S12B~S12JRDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard, Reverse Polarity |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 12A | Tensión - Desglose | DO-4 |
| Serie | - | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | DO-203AA, DO-4, Stud | Otros nombres | S12JRGN |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Número de pieza del fabricante | S12JR |
| Descripción ampliada | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 | configuración de diodo | 10µA @ 50V |
| Descripción | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.1V @ 12A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 600V | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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