1N5811US
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| Número de pieza | 1N5811US |
|---|---|
| Fabricante | Semtech |
| Descripción | DIODE GEN PURP 150V 6A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 250 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.448 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 1N5811US | Fabricante | Semtech |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 150V 6A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 5571 pcs | Ficha de datos | 1N5807US,09US,11US |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 875mV @ 4A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 150V | Paquete del dispositivo | - |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SQ-MELF | Otros nombres | 1N5811USS |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 46 Weeks | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 150V 6A Surface Mount | Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 150V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 6A | Capacitancia Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
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- Parte#:
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