1N5809
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| Número de pieza | 1N5809 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.266 | $2.938 | $2.416 | $2.024 | $1.763 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 1N5809 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 20855 pcs | Ficha de datos | 1N5807,9,11 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 875mV @ 4A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 100V | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | B, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 175°C | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 7 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 100V 3A Through Hole | Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 3A | Capacitancia Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
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