STW56N65M2-4
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| Número de pieza | STW56N65M2-4 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V I2PAKFP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.451 | $2.829 | $2.553 | $2.139 | ||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STW56N65M2-4 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V I2PAKFP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 17685 pcs | Ficha de datos | STW56N65M2-4 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247-4L | Serie | MDmesh™ M2 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 62 mOhm @ 24.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 358W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-4 |
| Otros nombres | 497-15373-5 | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 93nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
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